随着储能、光伏、新能源汽车等产业的快速发展，宽禁带半导体成为半导体产业发展的热点，碳化硅等新材料新产品储能领域、消费电子领域和射频领域均处于融合创新发展阶段。2024年11月19日下午，在第二十一届中国国际半导体博览会（IC China 2024）召开期间，以“双碳”驱动、创“芯”发展为主题的宽禁带半导体产业链融合创新发展分论坛在北京国家会议中心多功能厅A举行。6名来自宽禁带半导体产业链企业的领导、专家作主旨演讲。分论坛由中国半导体行业协会半导体分立器件分会副秘书长李永主持。

中国电子科技集团公司原副总经理赵正平演讲的题目是“SiC产业发展转折期的分析与创新技术新进展”。赵正平首先分析了碳化硅在未来十年的发展态势，然后结合碳化硅的固有特性，总结了提升可靠性、提高强度、提高合成效率等若干创新方向。

西安电子科技大学集成电路学部袁昊介绍了高可靠性碳化硅功率器件研究进展。袁昊指出，碳化硅基功率器件实现了性能的质的提升，主要应用在高压大功率领域（650V-10kV），现已成为高效、可持续发展的重要支撑技术之一。袁昊从器件终端设计最优化、工艺敏感性、栅氧化层、雪崩失效等角度分析了技术难点，并提出了SiC Trench MOSFET方案。

深圳基本半导体有限公司总经理和巍巍对碳化硅模块封装技术进行了展望。和巍巍指出，碳化硅目前主要应用于工业电源、光伏、储能、新能源汽车、轨道交通等领域，预计2028年，碳化硅功率器件全球市场规模将超89亿美元。和巍巍深入介绍了碳化硅芯片技术发展趋势和碳化硅模块封装技术趋势，相信碳化硅产品、技术、产业拥有广阔天地，大有作为。

浙江大学电气工程学院副教授郭清以“碳化硅横向功率器件及其集成技术研究”为题作报告。郭清从器件选型、技术集成等方面明确了“基于双层RESURF技术的横向二极管和MOSFET器件”这一研究目标和多项关键技术，并展示了研究成效。结果表明，研制的器件大幅度提升了器件的品质因数，静态性能良好，并进行了动态测试，为下一步工作打下了基础。

苏州能讯高能半导体有限公司副总裁裴轶以“先进射频氮化镓制造中心支持 DC-40GHz MMIC 代工”为题作报告。裴轶表示，氮化镓非常适合于制造5G毫米波射频前端集成，将材料、工艺、测试、可靠性与制造一体化，可实现所有环节的掌控，高效解决问题，快速响应客户需求。

北京时代民芯科技有限公司器件设计工程师赵玉佳介绍了超宽禁带半导体材料器件发展现状与趋势。赵玉佳表示，半导体材料的禁带越宽意味着半导体器件耐压越高、耐热越强、抗辐越强。氧化镓功率器件具有高效节能、大功率、小体积、轻重量、低成本等优良特性。β-Ga2O3目前是唯一一种可以从熔体中生长的宽禁带材料，这使得低成本、高质量、可掺杂的大型衬底成为可能。

宽禁带半导体产业链融合创新发展分论坛由中国半导体行业协会半导体分立器件分会执行，数百名行业领导、专家学者、媒体记者参会。